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| 現職 |
國聯光電科技股份有限公司董事長 |
| 聯宗光電股份有限公司董事長 |
| 學歷 |
1987年 美國西北大學材料科學工程研究所博士 |
| 1981年 台灣大學機械材料所碩士 |
| 1979年 清華大學材料工程系學士 |
| 經歷： |
8/93- 國聯光電科技股份有限公司董事長 |
| 9/99- 聯宗光電股份有限公司董事長 |
| 6/99- 國通創業投資股份有限公司董事長 |
| 4/00- 英屬蓋曼群島商超亮國際股份有限公司董事主席 |
| 9/00- 聯鈞光電股份有限公司董事長 |
| 1/88-1/93 美國惠普公司(HP)光電材料研發部門專案負責人 |
| 2/93-7/93 台灣工業技術學院 電子工程技術系副教授 |
| 8/94-2/00 恒嘉光電股份有限公司董事長 |
| 6/96-4/98 興華電子工業股份有限公司董事長 |
| 推薦事蹟 |
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黃國欣先生於1988 年進入美國惠普(HP)公司服務，擔任光電材料研發專案負責人。在HP 的五年中，致力於最新技術『有機金屬氣相磊晶法』(MOVPE)之研發，用以生產超高亮度（四次元）發光二極體(LED)及雷射二極體(LD)，其間並獲得多項關鍵性專利。旅美之深造及實務經驗，已使黃國欣先生在光電半導體科技領域累積足夠之技術能量，更體會到尖端材料科技對高科技產業發展之關鍵性，倘若無法突破上游之最重要材料磊晶片完全由外商控制的瓶頸，我國LED 產業不可能具有獨立性與完整性，且早晚將被大陸及東南亞所替代。因此在洞察當時我國光電產業發展需求，加上本身強烈之返鄉貢獻心願，黃國欣先生決定放棄HP 優渥工作，返回台灣開拓人生新里程。1993 年八月創辦國聯光電科技股份有限公司於新竹科學工業園區，著手開發最新進之超高亮度LED 磊晶片，並同時併購華新科技LED 晶粒廠，迅速建立完整之LED 上游生產事業。國聯光電自創立的第一個會計年度即有良好之營業收入及獲利，歷年之營業收入成長及獲利績效表現均十分突出，是我國高科技創業中非常成功的案例。國聯光電在科技研發成就上，亦是傲視群倫，不但於創立的第二年即成為全球第三家（與HP 及Toshiba 並列）有能力量產超高亮度LED 的廠商。目前累積之技術改良，已使國聯擁有全球最高效率之MOVPE 製程技術能力。 |
| 光電科技產業是我國在21 世紀最重要的策略性工業項目之一，身為光電科技尖兵的一員，絕不可自滿於LED 成就，更應奉獻國聯光電過去已建立之成果，以協助國家發展其國際競爭力之光電科技產業為職志，國聯光電的核心競爭力在於擁有全球最先進之MOVPE 磊晶技術及產業，具有超薄膜分析及處理能力（Å 層次），更具備III-V 族光電半導體產業整合效益條件，擁有高素質技術團隊及具影響力之策略聯盟伙伴關係。以此競爭力核心，將逐步拓展事業觸角至上，下游領域，以建立完整之附加價值鍵(Value-added chain)，穩固我國在全球光電科技工業之中堅地位。 |
國聯光電具體之事業發展策略包括：
| （一） |
以超高亮度LED 晶片優勢（含紅、黃、綠、藍、白及紅外線），結合最新封裝技術及應用技術，建立全球最大的LED 供應中心及新產品發展中心。 |
| （二） |
以優異的MOVPE 磊晶技術發展HBT 磊晶片，並建立大型6 吋通訊IC 量產工廠，使我國Ⅲ-Ⅴ IC 能繼Si IC 之後，成為全球重要生產基地之一。 |
| （三） |
加速發展各類半導體雷射，開發光纖收發模組、DVD 讀寫頭及IrDA 模組，建立我國光電通訊工業關鍵零組件自給能力。 |
| （四） |
與世界先進廠商同步發展有機發光平面顯示器（OLED），滿足我國各類資訊及通訊產業對下世代平面顯示器之需求，擺脫我國廠商新產品常受制於外商之關鍵零組件控制惡夢。 |
| （五） |
逐步發展光電半導體工業之基礎工業，包括GaAs 晶圓及晶片、光電特殊用化學品及光電產業專屬之機器設備，以落實光電產業生根。 |
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| 國聯光電組織已逐漸由單一公司型態蛻變為光電產業集團，生產基地除了新竹科學園區之一廠及二廠外，台南科學園區三廠廠房已建設完成；
89 年4 月購併了光寶集團之LED 晶粒場。除此之外，多年前已在深圳擁有恒昕廠，89 年將增建聯欣豐場，另於無錫建立大型之元件廠，上海、北京、西安、重慶及香港均設合資工廠，加速建立在大陸地區之市場地位。未來之年，國聯將繼續秉持著『追求卓越、領導創新』的理念，逐步策略聯盟伙伴共同在歐洲、美國及日本建立生產據點及全球供給體系（Global Logistics），以落實台灣為核心，全球市場之事業發展目標，為我國產業發展奉獻。 |
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