巫勇賢教授為本校1996級電機系畢業生，於2005年8月加入清華大學工程與系統科學系前曾於科學園區記憶體廠服務過將近4年9個月的時間，期間巫勇賢教授充分地應用所學於工作上，不僅有效解決製程上所面臨的瓶頸並提出創新的想法，除了發表多篇國際學術期刊論文外亦獲得19項包含台灣、中國、美國及德國之專利。尤其在專利提案上的優異表現，巫勇賢教授更連續在2002及2003年獲得個人最佳智權獎，足見其理論與實務方面均具有相當水準。為了拓展國際視野並瞭解世界頂尖半導體元件實驗室之研究方向，巫勇賢教授亦於2005年獲得教育部博士後研究公費留學的資格，能在眾多申請者中脫穎而出，也證明巫勇賢教授為一相當優秀的研究人員。

加入清華大學後，除了與業界保持合作關係延續在記憶體領域之研究外，亦積極投入矽晶基板上製作高效能鍺電晶體之開發。有鑒於過去相關技術之發展限制，巫勇賢教授開發出相當創新的製程並獲得多篇國際期刊與會議的肯定，尤其是其開發出世上第一個於矽晶基板上製作具鍺通道基礎之非揮發性記憶體，開啟了鍺元件之另一個重要的研究領域。另一方面，巫勇賢教授亦致力於先進高介電材質的開發，其在此研究領域最重要的成果在於率先全球其他研究團隊提出有效鈍化晶界以抑制結晶態高介電材質高漏電流之製程技術，此技術可以克服結晶態高介電材質晶界所造成的缺陷並保有其高介電常數之性質。此外，巫勇賢教授也以此技術實現世上第一個應用結晶態高介電材質於高效能非揮發記憶體，預計將可以大幅提升元件的效能並拓展結晶態高介電材質在各領域的廣泛應用。巫勇賢教授於清華大學服務期間共發表/接受25篇SCI學術期刊論文，平均每年發表5篇論文，其中23篇為第一作者。就論文品質來看，17篇發表在影響因子(impact factor)前15 %之頂尖期刊，佔所有發表論文之68 %，足見巫勇賢教授之研究成果不論在品質與數量上均能兼顧。

有幸能夠獲獎，巫勇賢教授要特別感謝工程與系統科學系以及原子科學院的師長們長期以來對於新進教師的鼓勵以及在研究經費與相關資源的支持。另外，巫勇賢教授也要感謝清華大學提供了相當豐沛的研究資源與自由開放的研究環境，能讓新進的同仁能朝自己的方向穩健邁進。最後，巫勇賢教授要感謝默默付出的家人，由於他們的體諒與犧牲才能讓他無後顧之憂地進行研究工作。